收藏本站
2SK3703
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
min
Ratings
typ
max
Unit
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID=1mA, VGS=0V
VDS= 60 V, VGS=0V
VGS=±16V, VDS=0V
60
1
±10
V
μ A
μ A
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
VGS(off)
| yfs |
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID= 15 A
1.2
13
22
2.6
V
S
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
RDS(on)1
RDS(on)2
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID= 15 A, VGS=10V
ID= 15 A, VGS=4V
VDS=20V, f=1MHz
See Fig.2
VDS=30V, VGS=10V, ID=30A
IS=30A, VGS=0V
20
28
1780
266
197
16.5
110
166
144
40
6.5
11.5
1.0
26
40
1.2
m Ω
m Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
Fig.1 Avalanche Resistance Test Circuit
Fig.2 Switching Time Test Circuit
L
10V
VIN
VDD=30V
0V
≥ 50 Ω
2SK3703
VIN
D
ID=15A
RL=2 Ω
VOUT
10V
0V
50 Ω
VDD
PW=10 μ s
D.C. ≤ 1%
G
2SK3703
Ordering Information
P.G
50 Ω
S
2SK3703-1E
Device
Package
TO-220F-3SG
Shipping
50pcs./magazine
memo
Pb Free
No.7681-2/7
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
2SK3745LS MOSFET N-CH 1500V 2A TO-220FI
2SK3746 MOSFET N-CH 1500V 2A TO-3PB
2SK3748 MOSFET N-CH 1500V 4A TO-3PML
2SK3793-AZ MOSFET N-CH 100V MP-45F/TO-220
2SK3811-ZP-E1-AY MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
2SK3812-ZP-E1-AY MOSFET N-CH 60V MP-25ZP/TO-263
2SK3813-AZ MOSFET N-CH 40V MP-3/TO-251
2SK3814-AZ MOSFET N-CH 60V MP-3/TO-251
相关代理商/技术参数
2SK3703-1E 功能描述:MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:30 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:180 mA 电阻汲极/源极 RDS（导通）:4.5 Ohms 配置: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-416 封装:Reel
2SK3703-1EX 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NCH 4V DRIVE SERIES
2SK3704 功能描述:MOSFET POWER MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
2SK3704-1EX 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NCH 4V DRIVE SERIES
2SK3705 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 60V 60A TO220F
2SK3706 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 100V 12A TO220F
2SK3706-MG5 制造商:Sony Semiconductor Solutions Division 功能描述:
2SK3707 功能描述:MOSFET NCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube